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同时，面数13PXZB:B4PyMPM基OLED的LT50分别是13PXZB:B3PyMPM基和13PXZB:B2PyMPM基OLED的4.8和8.2倍。在OLED中，踪洞13PXZB:B4PyMPM的最大EQE为14.6％，明显高于其他激基复合物发射体。此外，察6场13PXZB:B4PyMPM的半衰期（LT50）分别是比13PXZB:B3PyMPM和13PXZB:B2PyMPM的4.8倍和8.2倍。
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察6场（e）配体交换过程中Cd阳离子浓度对PbSeQDs溶液PLQYs的影响。 文献链接：川售电市场势EfficientlyPassivatedPbSeQuantumDotSolidsforInfraredPhotovoltaics(ACSNano，2021，10.1021/acsnano.0c10373)本文由材料人CYM编译供稿。
团队在该领域工作汇总张建兵团队长期致力于硫化铅（PbS）和硒化铅（PbSe）红外量子点的合成及其光电器件研究，用电月市近两年团队取得了系列进展。 【图文导读】图一、基本据追两种不同工艺的对比（a）用单一卤化物阴离子（工艺I）或含有卤化物阴离子和金属阳离子的杂化配体（工艺II）处理PbSeQDs的液相配体交换示意图。